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硅片

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1.测试片:

直径:2~12英寸

测试片是半导体产业中进行设备性能测试、工艺测试所使用的实验片,用来考察各个设备和各段工艺的状态和稳定性。

2. SOI硅片

直径2~8英寸   

器件层厚度***薄可到150nm,埋氧层厚度可到***薄1um

可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制,以及多层SOI的定制。

3.氧化硅片(国产/进口)

直径 1~12英寸    

氧化层厚度:100Å~20um

氧化硅片是指在硅片表面存在一层氧化层,氧化层的厚度根据用户需求而定。

根据产品工艺要求可提供干湿干氧和纯干氧不同工艺氧化片。

4.硅片正片(国产/进口)

掺杂类型:N,P  

晶向:<100>,<110>,<111>    

直径:2~12英寸

电阻率:常用各种范围均提供,0.001~10k欧姆.厘米

TTV、平整度、弯曲度、翘曲度、直径工差、厚度工差、晶向偏离度等参数严格按照Semi标准执行


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1.测试片:

直径:2~12英寸

测试片是半导体产业中进行设备性能测试、工艺测试所使用的实验片,用来考察各个设备和各段工艺的状态和稳定性。

2. SOI硅片

直径2~8英寸   

器件层厚度***薄可到150nm,埋氧层厚度可到***薄1um

可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制,以及多层SOI的定制。

3.氧化硅片(国产/进口)

直径 1~12英寸    

氧化层厚度:100Å~20um

氧化硅片是指在硅片表面存在一层氧化层,氧化层的厚度根据用户需求而定。

根据产品工艺要求可提供干湿干氧和纯干氧不同工艺氧化片。

4.硅片正片(国产/进口)

掺杂类型:N,P  

晶向:<100>,<110>,<111>    

直径:2~12英寸

电阻率:常用各种范围均提供,0.001~10k欧姆.厘米

TTV、平整度、弯曲度、翘曲度、直径工差、厚度工差、晶向偏离度等参数严格按照Semi标准执行


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